창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK42A12N1,S4X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK42A12N1 | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 120V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 21A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 60V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK42A12N1,S4X(S TK42A12N1,S4X-ND TK42A12N1S4X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK42A12N1,S4X | |
관련 링크 | TK42A12, TK42A12N1,S4X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | B41607A5368M2 | 3600µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 80 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 125°C | B41607A5368M2.pdf | |
![]() | MBA02040C7151FRP00 | RES 7.15K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C7151FRP00.pdf | |
![]() | F1891DH800 | F1891DH800 ORIGINAL SMD or Through Hole | F1891DH800.pdf | |
![]() | 0-0182920-1 | 0-0182920-1 tyc SMD or Through Hole | 0-0182920-1.pdf | |
![]() | PSMD200E/06 | PSMD200E/06 POWERSEM MODULE | PSMD200E/06.pdf | |
![]() | XC2S300-6PQG208C | XC2S300-6PQG208C XILINX QFP | XC2S300-6PQG208C.pdf | |
![]() | ISPLSI2128VE-135LB208 | ISPLSI2128VE-135LB208 LATTICE BGA | ISPLSI2128VE-135LB208.pdf | |
![]() | TSP50P11CNL1A1 | TSP50P11CNL1A1 TI DIP-16 | TSP50P11CNL1A1.pdf | |
![]() | PHE450KK5470JR05 | PHE450KK5470JR05 EVOXRIFA/Kemet SMD or Through Hole | PHE450KK5470JR05.pdf | |
![]() | 43X5R226K10AT | 43X5R226K10AT KYOCERA DIP | 43X5R226K10AT.pdf | |
![]() | RD5.6UM-T1 B2 | RD5.6UM-T1 B2 NEC SOD-523 0603 | RD5.6UM-T1 B2.pdf | |
![]() | RG130CK | RG130CK RAYTHEON SMD or Through Hole | RG130CK.pdf |