Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1,S1X

TK40E10N1,S1X
제조업체 부품 번호
TK40E10N1,S1X
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N CH 100V 90A TO220
데이터 시트 다운로드
다운로드
TK40E10N1,S1X 가격 및 조달

가능 수량

8669 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 939.61300
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 TK40E10N1,S1X 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK40E10N1,S1X 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK40E10N1,S1X가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
TK40E10N1,S1X 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TK40E10N1,S1X 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK40E10N1,S1X
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TK40E10N1
주요제품U-MOSⅧ-H MOSFETs
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C90A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.2m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 500µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs49nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3000pF @ 50V
전력 - 최대126W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220
표준 포장 50
다른 이름TK40E10N1,S1X(S
TK40E10N1S1X
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TK40E10N1,S1X
관련 링크TK40E10, TK40E10N1,S1X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
TK40E10N1,S1X 의 관련 제품
1500µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 177 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 85°C SLPX152M100A5P3.pdf
General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) Socketable 2-1393809-3.pdf
RES SMD 442 OHM 1% 1W 2512 ERJ-S1TF4420U.pdf
OPTICAL ENCODER 62S30-H9-060S.pdf
SEP1707EA-5R6M-LF coilmaster NA SEP1707EA-5R6M-LF.pdf
RF1C02D THRANE BGA RF1C02D.pdf
NP2520A-1PQ INTEL SMD or Through Hole NP2520A-1PQ.pdf
PSB5A7-7IR ORIGINAL SMD or Through Hole PSB5A7-7IR.pdf
SV-SH50 ORIGINAL SMD or Through Hole SV-SH50.pdf
16X8 ORIGINAL SMD or Through Hole 16X8.pdf
910R±1%0603 ORIGINAL SMD or Through Hole 910R±1%0603.pdf
B57321V2103H060 EPCOS SMD or Through Hole B57321V2103H060.pdf