창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK39N60X,S1F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK39N60X | |
주요제품 | DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 12.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.9mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 270W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | TK39N60X,S1F(S TK39N60XS1F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK39N60X,S1F | |
관련 링크 | TK39N60, TK39N60X,S1F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
EEU-HD1A222 | 2200µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | EEU-HD1A222.pdf | ||
MAL203667689E3 | 68µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 85°C | MAL203667689E3.pdf | ||
AA1218FK-07348KL | RES SMD 348K OHM 1W 1812 WIDE | AA1218FK-07348KL.pdf | ||
P51-300-A-Y-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-300-A-Y-I12-20MA-000-000.pdf | ||
OP11AY/883B | OP11AY/883B AD CDIP | OP11AY/883B.pdf | ||
1860245W3 | 1860245W3 CMLSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | 1860245W3.pdf | ||
SPC41A-40A | SPC41A-40A SUNPLS DIE | SPC41A-40A.pdf | ||
FGA60N60UFD | FGA60N60UFD ORIGINAL TO-3P | FGA60N60UFD.pdf | ||
IEGF6-36824-3-V | IEGF6-36824-3-V AIRPAX N A | IEGF6-36824-3-V.pdf | ||
YCDH32RT-331M | YCDH32RT-331M YOUTH 4X3 | YCDH32RT-331M.pdf | ||
R3117K331C-TR-F | R3117K331C-TR-F RICHO DFN | R3117K331C-TR-F.pdf |