창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK39N60X,S1F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK39N60X | |
주요제품 | DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 12.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.9mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 270W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | TK39N60X,S1F(S TK39N60XS1F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK39N60X,S1F | |
관련 링크 | TK39N60, TK39N60X,S1F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
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![]() | HT1117-1.8 | HT1117-1.8 HT S0T223 | HT1117-1.8.pdf | |
![]() | LP2983AIM5-1.2 TEL:82766440 | LP2983AIM5-1.2 TEL:82766440 NS SMD or Through Hole | LP2983AIM5-1.2 TEL:82766440.pdf | |
![]() | HMC436MS8G TEL:82766440 | HMC436MS8G TEL:82766440 HITTITE MSOP8 | HMC436MS8G TEL:82766440.pdf | |
![]() | LEHWS59N00BZ22E | LEHWS59N00BZ22E LG SMD or Through Hole | LEHWS59N00BZ22E.pdf | |
![]() | SEA3211 | SEA3211 China DIP | SEA3211.pdf | |
![]() | HMC232C8TR | HMC232C8TR HITTITE SOP-8 | HMC232C8TR.pdf | |
![]() | RLZTE-11 13A | RLZTE-11 13A ROHM SMD or Through Hole | RLZTE-11 13A.pdf | |
![]() | SG55452BY | SG55452BY LINFINITY DIP-8 | SG55452BY.pdf | |
![]() | XN04604G | XN04604G PANASONIC SMD | XN04604G.pdf |