창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK39N60W5,S1VF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK39N60W5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 74m옴 @ 19.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1.9mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 135nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 270W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | TK39N60W5,S1VF(S TK39N60W5S1VF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK39N60W5,S1VF | |
관련 링크 | TK39N60W, TK39N60W5,S1VF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | VS-5EWL06FN-M3 | DIODE GEN PURP 600V 5A TO252AA | VS-5EWL06FN-M3.pdf | |
![]() | BCR5FM-14LB#BB0 | TRIAC 800V 5A | BCR5FM-14LB#BB0.pdf | |
RH05012R00FE02 | RES CHAS MNT 12 OHM 1% 50W | RH05012R00FE02.pdf | ||
![]() | RG1608N-8252-W-T5 | RES SMD 82.5K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-8252-W-T5.pdf | |
![]() | LMC6582BIMX | LMC6582BIMX NS SOP-8 | LMC6582BIMX.pdf | |
![]() | CY7B162-12VCT | CY7B162-12VCT CY SOJ28 | CY7B162-12VCT.pdf | |
![]() | BGY67/14 | BGY67/14 PHI SMD or Through Hole | BGY67/14.pdf | |
![]() | NSE11DV57N220A | NSE11DV57N220A ITT BOX | NSE11DV57N220A.pdf | |
![]() | 8803CPBNG4F45 | 8803CPBNG4F45 TOSHIBA DIP-64 | 8803CPBNG4F45.pdf | |
![]() | EL3L | EL3L ORIGINAL SOT-23 | EL3L.pdf | |
![]() | M4A5-64/32-12VNI OR10VNC | M4A5-64/32-12VNI OR10VNC LATTICE SMD or Through Hole | M4A5-64/32-12VNI OR10VNC.pdf |