창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK35N65W5,S1F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK35N65W5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 95m옴 @ 17.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 2.1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 115nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4100pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 270W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | TK35N65W5,S1F(S TK35N65W5,S1F-ND TK35N65W5S1F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK35N65W5,S1F | |
관련 링크 | TK35N65, TK35N65W5,S1F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 445I33C16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 16pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I33C16M00000.pdf | |
![]() | AMD1820-3110 | AMD1820-3110 AMD CDIP | AMD1820-3110.pdf | |
![]() | LTC1410CS | LTC1410CS LT SMD or Through Hole | LTC1410CS.pdf | |
![]() | ECTH160808470J3150HST | ECTH160808470J3150HST ORIGINAL SMD or Through Hole | ECTH160808470J3150HST.pdf | |
![]() | MMSZ5223BW | MMSZ5223BW TC SMD or Through Hole | MMSZ5223BW.pdf | |
![]() | 381BL | 381BL TSC CDIP | 381BL.pdf | |
![]() | 24-5602-0500-00-829 | 24-5602-0500-00-829 Kyocera SMD or Through Hole | 24-5602-0500-00-829.pdf | |
![]() | 824-M0266 | 824-M0266 EE SMD or Through Hole | 824-M0266.pdf | |
![]() | PT-XQD-003 | PT-XQD-003 ORIGINAL SMD or Through Hole | PT-XQD-003.pdf | |
![]() | LH5481U035 | LH5481U035 SHA PLCC | LH5481U035.pdf |