Toshiba Semiconductor and Storage TK35N65W5,S1F

TK35N65W5,S1F
제조업체 부품 번호
TK35N65W5,S1F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
데이터 시트 다운로드
다운로드
TK35N65W5,S1F 가격 및 조달

가능 수량

8555 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 10,205.00000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 TK35N65W5,S1F 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK35N65W5,S1F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK35N65W5,S1F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
TK35N65W5,S1F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TK35N65W5,S1F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK35N65W5,S1F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TK35N65W5
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C35A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs95m옴 @ 17.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 2.1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs115nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4100pF @ 300V
전력 - 최대270W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지TO-247
표준 포장 30
다른 이름TK35N65W5,S1F(S
TK35N65W5,S1F-ND
TK35N65W5S1F
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TK35N65W5,S1F
관련 링크TK35N65, TK35N65W5,S1F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
TK35N65W5,S1F 의 관련 제품
3300pF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) D332Z20Z5UH63L2R.pdf
TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3 DRA9143Y0L.pdf
CREE R2 CREE SMD or Through Hole CREE R2.pdf
27C128-25/J051 MIC DIP28 27C128-25/J051.pdf
ET545 ORIGINAL SSOP ET545.pdf
S-14L05AQS-011 SEI SMD or Through Hole S-14L05AQS-011.pdf
CD4049BCN FSC SMD or Through Hole CD4049BCN.pdf
DCP022006+07U TI SMD or Through Hole DCP022006+07U.pdf
UNR-5/5-D12 DATEL DC D UNR-5/5-D12.pdf
2EZ91/2W91V PH DO-41 2EZ91/2W91V.pdf
HTST-105-01-L-DV-P SAMTEC ORIGINAL HTST-105-01-L-DV-P.pdf
TP1106 AMEGATech TACTSWITCH TP1106.pdf