Toshiba Semiconductor and Storage TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q)
제조업체 부품 번호
TK35E10K3(S1SS-Q)
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
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내부 부품 번호EIS-TK35E10K3(S1SS-Q)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
표준 포장 50
다른 이름TK35E10K3S1SSQ
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형-
FET 특징-
드레인 - 소스 전압(Vdss)-
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C-
Rds On(최대) @ Id, Vgs-
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds-
전력 - 최대-
작동 온도-
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TK35E10K3(S1SS-Q)
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