Toshiba Semiconductor and Storage TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X
제조업체 부품 번호
TK34E10N1,S1X
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
데이터 시트 다운로드
다운로드
TK34E10N1,S1X 가격 및 조달

가능 수량

8660 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 683.58860
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 TK34E10N1,S1X 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK34E10N1,S1X 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK34E10N1,S1X가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
TK34E10N1,S1X 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
TK34E10N1,S1X 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK34E10N1,S1X
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TK34E10N1
주요제품Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET
U-MOSⅧ-H MOSFETs
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C75A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs9.5m옴 @ 17A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 500µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs38nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2600pF @ 50V
전력 - 최대103W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220
표준 포장 50
다른 이름TK34E10N1,S1X(S
TK34E10N1S1X
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TK34E10N1,S1X
관련 링크TK34E10, TK34E10N1,S1X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
TK34E10N1,S1X 의 관련 제품
4.7µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 42.3 Ohm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C 475SVL050MDW.pdf
FUSE CERAMIC 125MA 250VAC 5X20MM 5HF 125.pdf
RES SMD 15.4 OHM 1% 3/4W 2010 ERJ-S1DF15R4U.pdf
RES SMD 4.87 OHM 1% 1/10W 0603 CRCW06034R87FNEA.pdf
12D-05S09N YDS SIP7 12D-05S09N.pdf
AD203AM AD DIP AD203AM.pdf
MAX803SQ293D2T1G ORIGINAL SMD or Through Hole MAX803SQ293D2T1G.pdf
351-8697-008 ITTCannon SMD or Through Hole 351-8697-008.pdf
K561NP2 K DIP K561NP2.pdf
UPR2A330MPH NICHICON SMD or Through Hole UPR2A330MPH.pdf
AS-ISP-NEC PhytonInc Onlyoriginal AS-ISP-NEC.pdf
SN53711N TI DIP14 SN53711N.pdf