창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK33S10N1Z,LQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK33S10N1Z | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.7m옴 @ 16.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2050pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK+ | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | TK33S10N1Z,LQ(O TK33S10N1ZLQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK33S10N1Z,LQ | |
| 관련 링크 | TK33S10, TK33S10N1Z,LQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1886T1H181JD01D | 180pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886T1H181JD01D.pdf | |
![]() | RR1220P-3010-D-M | RES SMD 301 OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-3010-D-M.pdf | |
![]() | KTR03EZPJ915 | RES SMD 9.1M OHM 5% 1/10W 0603 | KTR03EZPJ915.pdf | |
![]() | MBA02040C1181FRP00 | RES 1.18K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1181FRP00.pdf | |
![]() | X816607-001 | X816607-001 MIC QFP | X816607-001.pdf | |
![]() | MCM6264CJ | MCM6264CJ MOT SOJ | MCM6264CJ.pdf | |
![]() | SI3202-FS | SI3202-FS SILICON SMD or Through Hole | SI3202-FS.pdf | |
![]() | T812-M6 TEL:82766440 | T812-M6 TEL:82766440 TRAN SOT-23 | T812-M6 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 1N6288RL4 | 1N6288RL4 ON DO-201 | 1N6288RL4.pdf | |
![]() | BR355 | BR355 RECTRON/SEP/MIC SMD or Through Hole | BR355.pdf | |
![]() | RCH109NP-180M | RCH109NP-180M SUMIDA RCH1O9 | RCH109NP-180M.pdf | |
![]() | HY62256ALLG-55 | HY62256ALLG-55 HYNIX SOP28 | HY62256ALLG-55.pdf |