Toshiba Semiconductor and Storage TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ
제조업체 부품 번호
TK33S10N1Z,LQ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
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TK33S10N1Z,LQ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK33S10N1Z,LQ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TK33S10N1Z
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C33A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs9.7m옴 @ 16.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 500µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs28nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2050pF @ 10V
전력 - 최대125W
작동 온도175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK+
표준 포장 2,000
다른 이름TK33S10N1Z,LQ(O
TK33S10N1ZLQTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)TK33S10N1Z,LQ
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