창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK31V60X,LQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK31V60X | |
주요제품 | DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 9.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 240W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-VSFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN(8x8) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | TK31V60X,LQ(S TK31V60XLQTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK31V60X,LQ | |
관련 링크 | TK31V6, TK31V60X,LQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | D45H11 | TRANS PNP 80V 10A TO-220 | D45H11.pdf | |
![]() | VLF4014ST-4R7M1R4 | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 140 mOhm Max Nonstandard | VLF4014ST-4R7M1R4.pdf | |
![]() | RCL121816R0FKEK | RES SMD 16 OHM 1W 1812 WIDE | RCL121816R0FKEK.pdf | |
![]() | CA000247R00KR05 | RES 47 OHM 2W 10% AXIAL | CA000247R00KR05.pdf | |
![]() | P51-500-A-E-M12-5V-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-500-A-E-M12-5V-000-000.pdf | |
![]() | RM30TC-24 | RM30TC-24 MITSUBISHI SMD or Through Hole | RM30TC-24.pdf | |
![]() | AIDNC299-G | AIDNC299-G ORIGINAL SMD or Through Hole | AIDNC299-G.pdf | |
![]() | 780102(A)-A53 | 780102(A)-A53 NEC SSOP30 | 780102(A)-A53.pdf | |
![]() | m21pl002-8qde00 | m21pl002-8qde00 wvc SMD or Through Hole | m21pl002-8qde00.pdf | |
![]() | TS1101NH-AS-P-T/R | TS1101NH-AS-P-T/R CHI SMD or Through Hole | TS1101NH-AS-P-T/R.pdf |