Toshiba Semiconductor and Storage TK31V60X,LQ

TK31V60X,LQ
제조업체 부품 번호
TK31V60X,LQ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
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TK31V60X,LQ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK31V60X,LQ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TK31V60X
주요제품DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징초접합
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C30.8A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs98m옴 @ 9.4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 1.5mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs65nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3000pF @ 300V
전력 - 최대240W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스4-VSFN 노출형 패드
공급 장치 패키지5-DFN(8x8)
표준 포장 2,500
다른 이름TK31V60X,LQ(S
TK31V60XLQTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)TK31V60X,LQ
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