창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK31A60W,S4VX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK31A60W | |
주요제품 | DTMOSIV Superjunction MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 88m옴 @ 15.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 1.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK31A60WS4VX | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK31A60W,S4VX | |
관련 링크 | TK31A60, TK31A60W,S4VX 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 1325-151K | 150nH Shielded Molded Inductor 665mA 130 mOhm Max Axial | 1325-151K.pdf | |
![]() | 2DW6D | 2DW6D ON/ST/VISHAY SMD DIP | 2DW6D.pdf | |
![]() | HOA0825001 | HOA0825001 HONEYWELL BULK | HOA0825001.pdf | |
![]() | LMS8117AMP-5.0 | LMS8117AMP-5.0 NSC SOT-223 | LMS8117AMP-5.0.pdf | |
![]() | MCS2401 | MCS2401 FSC DIPSOP | MCS2401.pdf | |
![]() | IPD13N03LA G | IPD13N03LA G infineon PG-TO262-3-1 | IPD13N03LA G.pdf | |
![]() | JMS-11Xc | JMS-11Xc MINI SMD or Through Hole | JMS-11Xc.pdf | |
![]() | 2SD734-D,E,F,G | 2SD734-D,E,F,G ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SD734-D,E,F,G.pdf | |
![]() | OP496GSREEL7 | OP496GSREEL7 ADI SOIC14 | OP496GSREEL7.pdf | |
![]() | MAX541CPA | MAX541CPA MAXIM DIP8 | MAX541CPA.pdf | |
![]() | MU9C4481L10DC | MU9C4481L10DC MUSIC SMD or Through Hole | MU9C4481L10DC.pdf | |
![]() | MTB1-2412W1 | MTB1-2412W1 SIP VOLGEN | MTB1-2412W1.pdf |