창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK30E06N1,S1X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK30E06N1 | |
주요제품 | Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1050pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 53W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK30E06N1,S1X(S TK30E06N1S1X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK30E06N1,S1X | |
관련 링크 | TK30E06, TK30E06N1,S1X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | RT1206DRE072K7L | RES SMD 2.7K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE072K7L.pdf | |
![]() | RG1608N-6192-W-T1 | RES SMD 61.9K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-6192-W-T1.pdf | |
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![]() | CP0005R1200KE663 | RES 0.12 OHM 5W 10% AXIAL | CP0005R1200KE663.pdf | |
![]() | UPC1093G-1-T1 | UPC1093G-1-T1 NEC SOP 8 | UPC1093G-1-T1.pdf | |
![]() | UPD63635GM | UPD63635GM NEC QFP | UPD63635GM.pdf | |
![]() | C19284 | C19284 AMIS SOP16 | C19284.pdf | |
![]() | B6251G1NPP3G75T | B6251G1NPP3G75T AMPHENOL SMD or Through Hole | B6251G1NPP3G75T.pdf | |
![]() | PIM1208-3R5M | PIM1208-3R5M EROCORE NA | PIM1208-3R5M.pdf | |
![]() | 16.384M/4.096M | 16.384M/4.096M VECTRON SMD or Through Hole | 16.384M/4.096M.pdf | |
![]() | ML2011RS | ML2011RS ORIGINAL SMD or Through Hole | ML2011RS.pdf | |
![]() | GRM1532C1H390JDD5D | GRM1532C1H390JDD5D MURATA SMD | GRM1532C1H390JDD5D.pdf |