창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK2P60D(TE16L1,NQ) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK2P60D Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PW-MOLD | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TK2P60D(TE16L1NQ) TK2P60DTE16L1NQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK2P60D(TE16L1,NQ) | |
관련 링크 | TK2P60D(TE, TK2P60D(TE16L1,NQ) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
LGJ2F820MELZ | 82µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | LGJ2F820MELZ.pdf | ||
RC1218DK-07210KL | RES SMD 210K OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-07210KL.pdf | ||
CRCW04023R16FNTD | RES SMD 3.16 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04023R16FNTD.pdf | ||
RD3.3P-T1 3.3V | RD3.3P-T1 3.3V NEC SOT-89 | RD3.3P-T1 3.3V.pdf | ||
CDB43L21 | CDB43L21 CIRRUS 64 DSE1 | CDB43L21.pdf | ||
17S30LVI | 17S30LVI XILINX SOP8 | 17S30LVI.pdf | ||
2SD673(A) | 2SD673(A) TOS SMD or Through Hole | 2SD673(A).pdf | ||
6538S-1-103 | 6538S-1-103 bourns DIP | 6538S-1-103.pdf | ||
926749 | 926749 N/A SOP | 926749.pdf | ||
SQV453226T-150K | SQV453226T-150K CHILISIN SMD or Through Hole | SQV453226T-150K.pdf |