창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK28A65W,S5X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK28A65W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27.6A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 13.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.6mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK28A65W,S5X(M TK28A65WS5X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK28A65W,S5X | |
| 관련 링크 | TK28A65, TK28A65W,S5X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | UFS370GE3/TR13 | DIODE GEN PURP 700V 3A DO215AB | UFS370GE3/TR13.pdf | |
![]() | DFE252010F-100M=P2 | 10µH Shielded Inductor 900mA 600 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | DFE252010F-100M=P2.pdf | |
![]() | 2A0365 | 2A0365 INFINEON DIP-8 | 2A0365.pdf | |
![]() | AMS1117-1.8/3.3/ADJ | AMS1117-1.8/3.3/ADJ ORIGINAL DIPSMD | AMS1117-1.8/3.3/ADJ.pdf | |
![]() | MP6VLPS220MC4R2 | MP6VLPS220MC4R2 ORIGINAL SMD | MP6VLPS220MC4R2.pdf | |
![]() | P6 P5 | P6 P5 ORIGINAL SMD or Through Hole | P6 P5.pdf | |
![]() | RFF600-24S28-SY | RFF600-24S28-SY ORIGINAL N A | RFF600-24S28-SY.pdf | |
![]() | MT4C1M16C3TC-6 | MT4C1M16C3TC-6 MT TSSOP | MT4C1M16C3TC-6.pdf | |
![]() | MC5545AIM | MC5545AIM ORIGINAL SMD or Through Hole | MC5545AIM.pdf | |
![]() | DSPIC33FJ16MC101-I/SO | DSPIC33FJ16MC101-I/SO Microchip SOIC20 | DSPIC33FJ16MC101-I/SO.pdf | |
![]() | LM321M | LM321M TI SOP-16 | LM321M.pdf | |
![]() | NPA-AS-5-DC12V | NPA-AS-5-DC12V ORIGINAL DIP | NPA-AS-5-DC12V.pdf |