창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK25N60X,S1F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK25N60X | |
주요제품 | DTMOS4 High Speed Super Junction MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | TK25N60X,S1F(S TK25N60XS1F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK25N60X,S1F | |
관련 링크 | TK25N60, TK25N60X,S1F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | MLG1005S36NJTD25 | 36nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 1 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S36NJTD25.pdf | |
![]() | RT0603BRB0739R2L | RES SMD 39.2 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB0739R2L.pdf | |
![]() | CRCW2512820KFKEH | RES SMD 820K OHM 1% 1W 2512 | CRCW2512820KFKEH.pdf | |
![]() | IRFR120TRPBF*********** | IRFR120TRPBF*********** IR/VISHAY SOT252 | IRFR120TRPBF***********.pdf | |
![]() | SI4414-5 | SI4414-5 KEXIN SOP08 | SI4414-5.pdf | |
![]() | SM6T27A2 | SM6T27A2 vishay SMD or Through Hole | SM6T27A2.pdf | |
![]() | S71NS064NA0BJWRN | S71NS064NA0BJWRN SPANSION BGA | S71NS064NA0BJWRN.pdf | |
![]() | SM5S16A | SM5S16A VISHAY DO-218AB | SM5S16A.pdf | |
![]() | 4.4333MHZ 5.5*11.8 | 4.4333MHZ 5.5*11.8 NDK SMD-DIP | 4.4333MHZ 5.5*11.8.pdf | |
![]() | ADS8509IDWG4 | ADS8509IDWG4 TIBB SOIC | ADS8509IDWG4.pdf | |
![]() | TC5280D | TC5280D TOSHIBA CDIP | TC5280D.pdf |