창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK25E06K3,S1X(S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Mosfets Prod Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 12.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK25E06K3S1X(S TK25E06K3S1XS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK25E06K3,S1X(S | |
| 관련 링크 | TK25E06K3, TK25E06K3,S1X(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ0805D181MLCAR | 180pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D181MLCAR.pdf | |
![]() | B88069X590S102 | GDT 350V 20% 2.5KA THROUGH HOLE | B88069X590S102.pdf | |
![]() | DSC1001DI1-100.0000T | 100MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 8.7mA Standby (Power Down) | DSC1001DI1-100.0000T.pdf | |
![]() | RCP0505B680RGEA | RES SMD 680 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505B680RGEA.pdf | |
![]() | SPVS410200 | SPVS410200 ALPS SMD or Through Hole | SPVS410200.pdf | |
![]() | IC61LV25616L-12KG | IC61LV25616L-12KG ICSI SOJ44 | IC61LV25616L-12KG.pdf | |
![]() | HD74HCT541FPV | HD74HCT541FPV HIT SOP | HD74HCT541FPV.pdf | |
![]() | M35053-052FP | M35053-052FP MIT SSOP20 | M35053-052FP.pdf | |
![]() | 4305000 | 4305000 N/A TQFP100 | 4305000.pdf | |
![]() | 2SB1203T-TL | 2SB1203T-TL UTC 251-252-223 | 2SB1203T-TL.pdf | |
![]() | MM58169AB/N | MM58169AB/N NS DIP-28 | MM58169AB/N.pdf |