창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK25E06K3,S1X(S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 12.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK25E06K3S1X(S TK25E06K3S1XS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK25E06K3,S1X(S | |
관련 링크 | TK25E06K3, TK25E06K3,S1X(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | VJ0402D0R6CXCAC | 0.60pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R6CXCAC.pdf | |
![]() | T350G106M035AT | 10µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V Radial 2 Ohm 0.248" Dia (6.30mm) | T350G106M035AT.pdf | |
![]() | CR1206-FX-6190ELF | RES SMD 619 OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-6190ELF.pdf | |
![]() | BGX50A TEL:82766440 | BGX50A TEL:82766440 INFINEON SOT143 | BGX50A TEL:82766440.pdf | |
![]() | 5977CQD | 5977CQD ON DIP8 | 5977CQD.pdf | |
![]() | LC74789N-9770 | LC74789N-9770 SANYO DIP | LC74789N-9770.pdf | |
![]() | EN3151M 13.000M | EN3151M 13.000M NDK SMD911 | EN3151M 13.000M.pdf | |
![]() | SE9063 | SE9063 ORIGINAL TO-66 | SE9063.pdf | |
![]() | 10696I | 10696I LINEAR SMD or Through Hole | 10696I.pdf | |
![]() | DG212BDYT1 | DG212BDYT1 SILICONIX SMD or Through Hole | DG212BDYT1.pdf | |
![]() | AO5802E | AO5802E AOS SC-89-6L | AO5802E.pdf | |
![]() | LW-030F81 | LW-030F81 LUCENT SMD or Through Hole | LW-030F81.pdf |