창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK25E06K3,S1X(S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 12.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK25E06K3S1X(S TK25E06K3S1XS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK25E06K3,S1X(S | |
관련 링크 | TK25E06K3, TK25E06K3,S1X(S 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | SR155C103KAATR2 | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR155C103KAATR2.pdf | |
![]() | MKP385222200JD02W0 | 2200pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | MKP385222200JD02W0.pdf | |
![]() | HP3140V | HP3140V AVAGO SOP8 | HP3140V.pdf | |
![]() | 4172211501 | 4172211501 Delevan SMD or Through Hole | 4172211501.pdf | |
![]() | LT1485CS8-T | LT1485CS8-T LINEAR SOP | LT1485CS8-T.pdf | |
![]() | LQM2HPN2R2MJ0B | LQM2HPN2R2MJ0B murata SMD | LQM2HPN2R2MJ0B.pdf | |
![]() | C79N12 | C79N12 NEC TO-126 | C79N12.pdf | |
![]() | CBC120210-750 | CBC120210-750 RYC SMD or Through Hole | CBC120210-750.pdf | |
![]() | 43CTQ080PBF | 43CTQ080PBF VISHAY T0-220AB | 43CTQ080PBF.pdf | |
![]() | YRVB2*0.5 | YRVB2*0.5 ORIGINAL SMD or Through Hole | YRVB2*0.5.pdf | |
![]() | LQN21AR22J04T | LQN21AR22J04T MURATA 0805SMD | LQN21AR22J04T.pdf | |
![]() | hk2g687m35050ha | hk2g687m35050ha samwha SMD or Through Hole | hk2g687m35050ha.pdf |