창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK22E10N1,S1X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK22E10N1 | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.8m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 300µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 72W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK22E10N1,S1X(S TK22E10N1S1X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK22E10N1,S1X | |
관련 링크 | TK22E10, TK22E10N1,S1X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | RCER71H682K0M1H03A | 6800pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCER71H682K0M1H03A.pdf | |
![]() | 1286AS-H-1R5M=P2 | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 2A 114 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | 1286AS-H-1R5M=P2.pdf | |
![]() | ISC1210BNR27M | 270nH Shielded Wirewound Inductor 500mA 330 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210BNR27M.pdf | |
![]() | IL-312-A40P-VF-A1-E3500 | IL-312-A40P-VF-A1-E3500 JAE SMD or Through Hole | IL-312-A40P-VF-A1-E3500.pdf | |
![]() | 89126-0103 | 89126-0103 M/WSI SMD or Through Hole | 89126-0103.pdf | |
![]() | AM12032 MAAM12032 | AM12032 MAAM12032 MACOM SOP | AM12032 MAAM12032.pdf | |
![]() | 104 223 471 30P | 104 223 471 30P TAIWAN SMD or Through Hole | 104 223 471 30P.pdf | |
![]() | 1-5103309-0 | 1-5103309-0 TYCO SMD or Through Hole | 1-5103309-0.pdf | |
![]() | FM100HY-9 | FM100HY-9 MITSUBISHI 1MOS | FM100HY-9.pdf | |
![]() | IMIC9703AYB | IMIC9703AYB IMI SSOP | IMIC9703AYB.pdf |