창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK20N60W,S1VF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK20N60W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 155m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 165W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | TK20N60W,S1VF(S TK20N60WS1VF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK20N60W,S1VF | |
| 관련 링크 | TK20N60, TK20N60W,S1VF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 416F406XXCLT | 40.61MHz ±15ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F406XXCLT.pdf | |
![]() | 105R-822GS | 8.2µH Unshielded Inductor 135mA 5 Ohm Max 2-SMD | 105R-822GS.pdf | |
![]() | MCR18EZHJ185 | RES SMD 1.8M OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18EZHJ185.pdf | |
![]() | OP97EH | OP97EH AD CAN8 | OP97EH.pdf | |
![]() | 1N4148-E | 1N4148-E HIT DO-35 | 1N4148-E.pdf | |
![]() | 2209L | 2209L ST SMD or Through Hole | 2209L.pdf | |
![]() | L7815 1.5A | L7815 1.5A ST TO-220 | L7815 1.5A.pdf | |
![]() | MSCDRI-104R-4R7N | MSCDRI-104R-4R7N UH SMD or Through Hole | MSCDRI-104R-4R7N.pdf | |
![]() | 120030050 | 120030050 ORIGINAL SMD or Through Hole | 120030050.pdf | |
![]() | 64-322-010B | 64-322-010B LSI PLCC | 64-322-010B.pdf | |
![]() | NC7SZ04P5X MAA05A | NC7SZ04P5X MAA05A FSC 5P | NC7SZ04P5X MAA05A.pdf | |
![]() | GS1K W T/R | GS1K W T/R PANJIT SOD-214 | GS1K W T/R.pdf |