창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK20C60W,S1VQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK20C60W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 155m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 165W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK20C60W,S1VQ(S TK20C60WS1VQ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK20C60W,S1VQ | |
| 관련 링크 | TK20C60, TK20C60W,S1VQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D680MXAAT | 68pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D680MXAAT.pdf | |
![]() | 0031.8310 | FUSE GLASS 200MA 250VAC 5X20MM | 0031.8310.pdf | |
![]() | Y169050R0000B0L | RES 50 OHM 8W 0.1% TO220-4 | Y169050R0000B0L.pdf | |
![]() | MASWSS0176TR-3000 | RF Switch IC GSM, DCS, PCS SPDT 3GHz 50 Ohm SOT-26 | MASWSS0176TR-3000.pdf | |
![]() | EC1300HSTS20.000MHZ | EC1300HSTS20.000MHZ ECLIPTEK SMD or Through Hole | EC1300HSTS20.000MHZ.pdf | |
![]() | ST53A40 | ST53A40 ORIGINAL QFP | ST53A40.pdf | |
![]() | 5267-07A-X | 5267-07A-X MOLEX CONNECTOR | 5267-07A-X.pdf | |
![]() | LTC5535ES6 | LTC5535ES6 LT SOT23-6 | LTC5535ES6.pdf | |
![]() | OT1036ADV-35/V3676 | OT1036ADV-35/V3676 OAK DIP28 | OT1036ADV-35/V3676.pdf | |
![]() | 550C651T500AF2B | 550C651T500AF2B CDE DIP | 550C651T500AF2B.pdf | |
![]() | B37988N5334M000 | B37988N5334M000 EPCOS SMD | B37988N5334M000.pdf | |
![]() | MG80C196K-12 | MG80C196K-12 ON SMD or Through Hole | MG80C196K-12.pdf |