창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK20A60W,S5VX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK20A60W | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 155m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | ASTK20A60W,S5VX(M TK20A60W,S5VX(M TK20A60WS5VX | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK20A60W,S5VX | |
관련 링크 | TK20A60, TK20A60W,S5VX 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
C2012X5R1C226M085AC | 22µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X5R1C226M085AC.pdf | ||
C1206C475K3PALTU | 4.7µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C475K3PALTU.pdf | ||
MKP385611040JPM4T0 | 11µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 0.945" W (42.00mm x 24.00mm) | MKP385611040JPM4T0.pdf | ||
2950116 | DIODE MODULE 1.3KV 700MA | 2950116.pdf | ||
RSF1JB2R00 | RES MO 1W 2 OHM 5% AXIAL | RSF1JB2R00.pdf | ||
CCF1N1TTE1A | CCF1N1TTE1A KOA SMD | CCF1N1TTE1A.pdf | ||
CD40194/MC14194 | CD40194/MC14194 MOT DIP | CD40194/MC14194.pdf | ||
1N1190.600V35A | 1N1190.600V35A ORIGINAL SMD or Through Hole | 1N1190.600V35A.pdf | ||
D86070.000113B2 | D86070.000113B2 ORIGINAL BGA | D86070.000113B2.pdf | ||
M1G500J101H | M1G500J101H ORIGINAL SMD or Through Hole | M1G500J101H.pdf | ||
MAX2325EGI | MAX2325EGI MAXIM QFN | MAX2325EGI.pdf |