창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK20A60U(Q,M) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK20A60U Mosfets Prod Guide | |
카탈로그 페이지 | 1649 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1470pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK20A60U(Q) TK20A60UQ TK20A60UQ-ND TK20A60UQM | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK20A60U(Q,M) | |
관련 링크 | TK20A60, TK20A60U(Q,M) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | S0402-27NG2B | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 360 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-27NG2B.pdf | |
![]() | RT0603BRD071K96L | RES SMD 1.96KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD071K96L.pdf | |
![]() | RT0603FRE0790K9L | RES SMD 90.9K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE0790K9L.pdf | |
![]() | SKT330-12E | SKT330-12E Semikron SMD or Through Hole | SKT330-12E.pdf | |
![]() | DH-2503A | DH-2503A HIT ZIP8 | DH-2503A.pdf | |
![]() | 54F398DM | 54F398DM NationalSemicondu SMD or Through Hole | 54F398DM.pdf | |
![]() | PT2275. | PT2275. PT DIP | PT2275..pdf | |
![]() | 4-1734839-0 | 4-1734839-0 Techwell SMD or Through Hole | 4-1734839-0.pdf | |
![]() | MB29F040 | MB29F040 ORIGINAL PLCC | MB29F040.pdf | |
![]() | 5962D9567001VGA | 5962D9567001VGA ADI CDIP | 5962D9567001VGA.pdf | |
![]() | RG1H335M05011FS180 | RG1H335M05011FS180 SAMWHA SMD or Through Hole | RG1H335M05011FS180.pdf |