창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK16N60W,S1VF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK16N60W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 7.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 790µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 130W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | TK16N60W,S1VF(S TK16N60WS1VF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK16N60W,S1VF | |
| 관련 링크 | TK16N60, TK16N60W,S1VF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | UFG1J330MPM | 33µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | UFG1J330MPM.pdf | |
![]() | FDD3670 | MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK | FDD3670.pdf | |
| RSMF3JA5K10 | RES METAL OX 3W 5.1K OHM 5% AXL | RSMF3JA5K10.pdf | ||
![]() | MC10H209ML1 | MC10H209ML1 Motorola SMD or Through Hole | MC10H209ML1.pdf | |
![]() | STI5519EVC-X | STI5519EVC-X ST QFP | STI5519EVC-X.pdf | |
![]() | UPD65956N7T03 | UPD65956N7T03 NEC BGA | UPD65956N7T03.pdf | |
![]() | SE8117T15-LF-1.5V | SE8117T15-LF-1.5V SEAWARD SOT-223 | SE8117T15-LF-1.5V.pdf | |
![]() | C79N08M | C79N08M ORIGINAL TO-126 | C79N08M.pdf | |
![]() | S6B33B6X01-B0CY | S6B33B6X01-B0CY SAMSUNG SMD or Through Hole | S6B33B6X01-B0CY.pdf | |
![]() | SDC17600-609 | SDC17600-609 ORIGINAL SMD or Through Hole | SDC17600-609.pdf | |
![]() | DF2266TF13V | DF2266TF13V RENESAS SMD or Through Hole | DF2266TF13V.pdf |