창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK15S04N1L,LQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK15S04N1L | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17.8m옴 @ 7.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 610pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 46W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK+ | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | TK15S04N1L,LQ(O TK15S04N1LLQTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK15S04N1L,LQ | |
관련 링크 | TK15S04, TK15S04N1L,LQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
K102K15C0GF53H5 | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K102K15C0GF53H5.pdf | ||
BF025016WC20038BH1 | 20pF 9000V(9kV) 세라믹 커패시터 R42 축방향, CAN 0.984" Dia x 0.630" W(25.00mm x 16.00mm) | BF025016WC20038BH1.pdf | ||
HD6432197A53FV | HD6432197A53FV HITACHI QFP NEW | HD6432197A53FV.pdf | ||
0603JRNPO9BN471 | 0603JRNPO9BN471 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603JRNPO9BN471.pdf | ||
JS1-DC24V-F | JS1-DC24V-F Panasonic/ DIP | JS1-DC24V-F.pdf | ||
SGM803-LXN3/TR 803 | SGM803-LXN3/TR 803 SGMICRO SMD or Through Hole | SGM803-LXN3/TR 803.pdf | ||
EHP-AX08EL/LM01H-P01/2832/YK31/TR | EHP-AX08EL/LM01H-P01/2832/YK31/TR EVERLIGHT SMD | EHP-AX08EL/LM01H-P01/2832/YK31/TR.pdf | ||
530786D | 530786D ICS SSOP | 530786D.pdf | ||
ELAN-EM78M611DDM | ELAN-EM78M611DDM ELAN SMD or Through Hole | ELAN-EM78M611DDM.pdf | ||
J2-Q06B-O-W | J2-Q06B-O-W MITSUBISHI SMD or Through Hole | J2-Q06B-O-W.pdf | ||
XC44250FN | XC44250FN MOT PLCC44 | XC44250FN.pdf | ||
50MXG10000M25X50 | 50MXG10000M25X50 Rubycon DIP-2 | 50MXG10000M25X50.pdf |