창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TK14N65W5,S1F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK14N65W5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 6.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 690µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 130W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | TK14N65W5,S1F(S TK14N65W5S1F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK14N65W5,S1F | |
| 관련 링크 | TK14N65, TK14N65W5,S1F 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | EEU-FC1C390B | 39µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | EEU-FC1C390B.pdf | |
![]() | TS153F23CET | 15.36MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS153F23CET.pdf | |
![]() | 416F27023AST | 27MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27023AST.pdf | |
![]() | MBRS130L | DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMB | MBRS130L.pdf | |
![]() | F29LV160BE-70PFIN | F29LV160BE-70PFIN FUTO SOP | F29LV160BE-70PFIN.pdf | |
![]() | UC2910Q | UC2910Q TI PLCC | UC2910Q.pdf | |
![]() | OXCB950 | OXCB950 OXFORD QFP100 | OXCB950.pdf | |
![]() | 2SD1418DBTR-E | 2SD1418DBTR-E RENESAS SOT-89 | 2SD1418DBTR-E.pdf | |
![]() | 2901-001377 | 2901-001377 SAMSUNG SMD or Through Hole | 2901-001377.pdf | |
![]() | PBYR745F.127 | PBYR745F.127 PHILIPS SMD or Through Hole | PBYR745F.127.pdf | |
![]() | SN74AS243N | SN74AS243N TI DIP | SN74AS243N.pdf | |
![]() | 015AZ5.1Y | 015AZ5.1Y TOSHIBA SOD523 | 015AZ5.1Y.pdf |