Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W5,S1X
- 제조업체 부품 번호
- TK14E65W5,S1X
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TK14E65W5,S1X 가격 및 조달
가능 수량
8800 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,582.08340
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TK14E65W5,S1X 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK14E65W5,S1X 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK14E65W5,S1X가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TK14E65W5,S1X 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK14E65W5,S1X 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK14E65W5,S1X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK14E65W5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 6.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 690µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 130W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK14E65W5,S1X(S TK14E65W5S1X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK14E65W5,S1X | |
| 관련 링크 | TK14E65, TK14E65W5,S1X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
TK14E65W5,S1X 의 관련 제품
 | 8AX910M8X16 | 910µF 8V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 8AX910M8X16.pdf | |
.85mm.jpg) | GRM2195C1H562FA01D | 5600pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2195C1H562FA01D.pdf | |
 | GJM1555C1H7R4CB01D | 7.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H7R4CB01D.pdf | |
 | SIT9003AI-13-33SB-13.56000T | OSC XO 3.3V 13.56MHZ ST 0.25% | SIT9003AI-13-33SB-13.56000T.pdf | |
 | BFU550WF | TRANS RF NPN 12V 50MA SOT-323 | BFU550WF.pdf | |
| BQ24401PW | BQ24401PW BEN Call | BQ24401PW.pdf | |
| C945(300-400) | C945(300-400) CHANGHAO SMD or Through Hole | C945(300-400).pdf | |
| ST2-12V/12VDC | ST2-12V/12VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | ST2-12V/12VDC.pdf | |
| TMCSA1E474MTR(25V/0. | TMCSA1E474MTR(25V/0. HITACHI SMD or Through Hole | TMCSA1E474MTR(25V/0..pdf | |
| C11AH1R0C8UXLT | C11AH1R0C8UXLT DLI SMD or Through Hole | C11AH1R0C8UXLT.pdf | |
| TPS40051 | TPS40051 TI HTSSOP | TPS40051.pdf |