창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK14C65W5,S1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK14C65W5 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 6.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 690µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK14C65W5,S1Q(S TK14C65W5,S1Q(S2 TK14C65W5,S1Q-ND TK14C65W5S1Q | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK14C65W5,S1Q | |
관련 링크 | TK14C65, TK14C65W5,S1Q 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | MEM1608P101R | LC (Pi) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel 100mA 0603 (1608 Metric), 3 PC Pad | MEM1608P101R.pdf | |
![]() | TNPW0805825RBEEA | RES SMD 825 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805825RBEEA.pdf | |
![]() | HZU5.1B3TRF(5V1) | HZU5.1B3TRF(5V1) RENESAS SMD or Through Hole | HZU5.1B3TRF(5V1).pdf | |
![]() | TRR1A05D10M | TRR1A05D10M TTI DIP-8 | TRR1A05D10M.pdf | |
![]() | 20-99-00089-1 | 20-99-00089-1 SANJISK BGA | 20-99-00089-1.pdf | |
![]() | ADC1106K | ADC1106K AD SMD or Through Hole | ADC1106K.pdf | |
![]() | 4331098 | 4331098 NSC-NATIONALSEMI SMD or Through Hole | 4331098.pdf | |
![]() | PS-14PA-D4T1-PKL1 | PS-14PA-D4T1-PKL1 JAE SMD or Through Hole | PS-14PA-D4T1-PKL1.pdf | |
![]() | CY7C9116-45DC | CY7C9116-45DC N/A AUCDIP | CY7C9116-45DC.pdf | |
![]() | GW08-5718 | GW08-5718 N/A SMD or Through Hole | GW08-5718.pdf | |
![]() | PBS1608-102MT | PBS1608-102MT Fenghua SMD | PBS1608-102MT.pdf | |
![]() | GRM1851X1H180JZ13J | GRM1851X1H180JZ13J MURATA SMD | GRM1851X1H180JZ13J.pdf |