창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK13A60D(STA4,Q,M) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK13A60D Mosfets Prod Guide | |
카탈로그 페이지 | 1648 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 430m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | TK13A60DSTA4QM | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK13A60D(STA4,Q,M) | |
관련 링크 | TK13A60D(S, TK13A60D(STA4,Q,M) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | EEV-HB0J470R | 47µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | EEV-HB0J470R.pdf | |
![]() | GRM0335C1E5R1DA01D | 5.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E5R1DA01D.pdf | |
![]() | V26MLA0805LNHAUTO | VARISTOR 34V 40A 0805 | V26MLA0805LNHAUTO.pdf | |
![]() | 5650406-5 | 5650406-5 TYCO SMD or Through Hole | 5650406-5.pdf | |
![]() | ECG361 | ECG361 ECG CAN3 | ECG361.pdf | |
![]() | F58U | F58U WILLSEMI SOT23-5 | F58U.pdf | |
![]() | 3SK254/ | 3SK254/ NEC SOT343 | 3SK254/.pdf | |
![]() | SSR-80DA-H | SSR-80DA-H HOYMK SMD or Through Hole | SSR-80DA-H.pdf | |
![]() | SIM340 EVB KIT | SIM340 EVB KIT SIMCOM GSM GPRS EDGE | SIM340 EVB KIT.pdf | |
![]() | UT24422 | UT24422 P/N DIP-13P | UT24422.pdf | |
![]() | MCR01MZP5F15R0 | MCR01MZP5F15R0 RHOM SMD or Through Hole | MCR01MZP5F15R0.pdf |