창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK12Q60W,S1VQ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK12Q60W | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 340m옴 @ 5.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 600µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 890pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | TK12Q60WS1VQ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK12Q60W,S1VQ | |
관련 링크 | TK12Q60, TK12Q60W,S1VQ 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | PM1812-560J-RC | 56µH Unshielded Inductor 135mA 5.5 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | PM1812-560J-RC.pdf | |
![]() | TNPW12062K18BEEA | RES SMD 2.18K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW12062K18BEEA.pdf | |
![]() | SMAJ8.5CA/13 | SMAJ8.5CA/13 GS DO-214AC | SMAJ8.5CA/13.pdf | |
![]() | BMR610 45/45R1C | BMR610 45/45R1C ERICSSON SMD or Through Hole | BMR610 45/45R1C.pdf | |
![]() | XLS93C46P | XLS93C46P EXEL DIP-8 | XLS93C46P.pdf | |
![]() | LCMXO2280C-4FTN324 | LCMXO2280C-4FTN324 LATTICE BGA | LCMXO2280C-4FTN324.pdf | |
![]() | M50781AP | M50781AP MIT DIP | M50781AP.pdf | |
![]() | D42S18160G5-60-7JE | D42S18160G5-60-7JE NEC TSOP | D42S18160G5-60-7JE.pdf | |
![]() | 0603 Y5V 393 M 500NT | 0603 Y5V 393 M 500NT TASUND SMD or Through Hole | 0603 Y5V 393 M 500NT.pdf | |
![]() | IRU1117CP | IRU1117CP IR SMD or Through Hole | IRU1117CP.pdf | |
![]() | BZX284-B27 | BZX284-B27 PHILIPS SOD323 | BZX284-B27.pdf |