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Toshiba Semiconductor and Storage TK12P60W,RVQ

TK12P60W,RVQ
제조업체 부품 번호
TK12P60W,RVQ
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
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TK12P60W,RVQ 매개 변수
내부 부품 번호EIS-TK12P60W,RVQ
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서TK12P60W
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징초접합
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C11.5A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs340m옴 @ 5.8A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.7V @ 600µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs25nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds890pF @ 300V
전력 - 최대100W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK
표준 포장 2,000
다른 이름TK12P60WRVQTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)TK12P60W,RVQ
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