Toshiba Semiconductor and Storage TK12E60W,S1VX
- 제조업체 부품 번호
- TK12E60W,S1VX
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TK12E60W,S1VX 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,057.92000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TK12E60W,S1VX 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK12E60W,S1VX 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK12E60W,S1VX가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TK12E60W,S1VX 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK12E60W,S1VX 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK12E60W,S1VX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK12E60W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 5.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 600µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 890pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK12E60WS1VX | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK12E60W,S1VX | |
| 관련 링크 | TK12E60, TK12E60W,S1VX 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
TK12E60W,S1VX 의 관련 제품
 | 04023A2R2JAT2A | 2.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04023A2R2JAT2A.pdf | |
 | B32520C1474J | 0.47µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.394" L x 0.197" W (10.00mm x 5.00mm) | B32520C1474J.pdf | |
.jpg) | ABM8-44.000MHZ-B2-T | 44MHz ±20ppm 수정 18pF 35옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8-44.000MHZ-B2-T.pdf | |
.jpg) | AF1206FR-078K2L | RES SMD 8.2K OHM 1% 1/4W 1206 | AF1206FR-078K2L.pdf | |
 | S-818A50AMC-BHET2G | S-818A50AMC-BHET2G SEIKO SOT23-5 | S-818A50AMC-BHET2G.pdf | |
| WSR2R0140FEA | WSR2R0140FEA VISHAY SMD or Through Hole | WSR2R0140FEA.pdf | |
| M50432-551SP | M50432-551SP Mitsubishi SMD or Through Hole | M50432-551SP.pdf | |
| NCP1910B65DWG | NCP1910B65DWG ON SOIC-24 | NCP1910B65DWG.pdf | |
| AZ3843GM | AZ3843GM ORIGINAL SMD or Through Hole | AZ3843GM.pdf | |
| NS1H225M05007PA180 | NS1H225M05007PA180 ORIGINAL SMD or Through Hole | NS1H225M05007PA180.pdf | |
| PI3L720ZHEX | PI3L720ZHEX PERICOM QFN | PI3L720ZHEX.pdf | |
| IKW20T120，IKW30T120 | IKW20T120，IKW30T120 INFINEON SMD or Through Hole | IKW20T120，IKW30T120.pdf |