창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK12E60W,S1VX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK12E60W | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 5.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 600µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 890pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK12E60WS1VX | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK12E60W,S1VX | |
관련 링크 | TK12E60, TK12E60W,S1VX 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | HAZ331MBACFGKR | 330pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HAZ331MBACFGKR.pdf | |
![]() | IRF6619TR1 | MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET | IRF6619TR1.pdf | |
![]() | CPCF05430R0KE66 | RES 430 OHM 5W 10% RADIAL | CPCF05430R0KE66.pdf | |
![]() | 2010 5% 3.3K | 2010 5% 3.3K SUPEROHM SMD or Through Hole | 2010 5% 3.3K.pdf | |
![]() | AT45DB011B-SU,SL717 | AT45DB011B-SU,SL717 ATMEL SOIC-8 | AT45DB011B-SU,SL717.pdf | |
![]() | AD-107. | AD-107. ZIOLG SOP28 | AD-107..pdf | |
![]() | XTR1100KP | XTR1100KP BB DIP | XTR1100KP.pdf | |
![]() | M35055 | M35055 MIT SOP | M35055.pdf | |
![]() | BH6590AKU-BE2 | BH6590AKU-BE2 ROHM SMD or Through Hole | BH6590AKU-BE2.pdf | |
![]() | M82520-14R | M82520-14R MNDSPEED BGA | M82520-14R.pdf | |
![]() | 29-07-1025 | 29-07-1025 MOLEX SMD or Through Hole | 29-07-1025.pdf | |
![]() | 37413150000(374 3.15A) | 37413150000(374 3.15A) WICKMANN DIP | 37413150000(374 3.15A).pdf |