창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK12E60W,S1VX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK12E60W | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 5.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 600µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 890pF @ 300V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK12E60WS1VX | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK12E60W,S1VX | |
관련 링크 | TK12E60, TK12E60W,S1VX 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | DSC1123CE2-100.0000 | 100MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Enable/Disable | DSC1123CE2-100.0000.pdf | |
![]() | UP4B-R47-R | 470nH Unshielded Wirewound Inductor 19.2A 1.9 mOhm Max Nonstandard | UP4B-R47-R.pdf | |
![]() | RTO050F4R700JTE1 | RES 4.7 OHM 50W 5% TO220 | RTO050F4R700JTE1.pdf | |
![]() | CP00022R000JB143 | RES 2 OHM 2W 5% AXIAL | CP00022R000JB143.pdf | |
![]() | 251001 | 251001 Littelfuse SMD or Through Hole | 251001.pdf | |
![]() | SHS320-72 | SHS320-72 ORIGINAL DIP-4 | SHS320-72.pdf | |
![]() | GMZ3.0A | GMZ3.0A PANJIT SOD-80 | GMZ3.0A.pdf | |
![]() | AD842SH/883B | AD842SH/883B ADI SMD or Through Hole | AD842SH/883B.pdf | |
![]() | 72321/MYL | 72321/MYL ST QFP64 | 72321/MYL.pdf | |
![]() | XC3120APC84-4C | XC3120APC84-4C XILINX PLCC84 | XC3120APC84-4C.pdf | |
![]() | 5Z30 DIP-2 | 5Z30 DIP-2 TOSHIBA SMD or Through Hole | 5Z30 DIP-2.pdf | |
![]() | XCR3032XL-10IVQ44 | XCR3032XL-10IVQ44 XILINX QFP | XCR3032XL-10IVQ44.pdf |