창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK12A50E,S4X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK12A50E | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1.2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
표준 포장 | 150 | |
다른 이름 | TK12A50E,S4X(S TK12A50E,S5X TK12A50E,S5X(M TK12A50ES4X TK12A50ES4X(S TK12A50ES4X(S-ND TK12A50ES5X TK12A50ES5X-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK12A50E,S4X | |
관련 링크 | TK12A50, TK12A50E,S4X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | AISR-875-151L | 150µH Shielded Wirewound Inductor 720mA 420 mOhm Max Radial | AISR-875-151L.pdf | |
![]() | NKN500JR-91-2R7 | RES 2.7 OHM 5W 5% AXIAL | NKN500JR-91-2R7.pdf | |
![]() | CW001R5100JE70HS | RES 0.51 OHM 5% AXIAL | CW001R5100JE70HS.pdf | |
![]() | KD3401SRG | KD3401SRG KWAIDA SMD or Through Hole | KD3401SRG.pdf | |
![]() | CGS2535V/NOPB | CGS2535V/NOPB ORIGINAL NA | CGS2535V/NOPB.pdf | |
![]() | NTMS4107NG | NTMS4107NG ON SOP-8 | NTMS4107NG.pdf | |
![]() | AAT60023B-S16-T | AAT60023B-S16-T AAT SOT89-3L | AAT60023B-S16-T.pdf | |
![]() | SI4890DV SOP-8 | SI4890DV SOP-8 VISHAY SMD or Through Hole | SI4890DV SOP-8.pdf | |
![]() | HY5DU283222BFP33 | HY5DU283222BFP33 HYNIX BGA | HY5DU283222BFP33.pdf | |
![]() | FA5510P | FA5510P ORIGINAL DIP-8 | FA5510P.pdf | |
![]() | NL3225T4R7J | NL3225T4R7J Cal SMD | NL3225T4R7J.pdf | |
![]() | :5760 | :5760 ORIGINAL SMD or Through Hole | :5760.pdf |