창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK10J80E,S1E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK10J80E | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P(N) | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | TK10J80E,S1E(S TK10J80ES1E | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK10J80E,S1E | |
관련 링크 | TK10J80, TK10J80E,S1E 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | ESR10EZPF4220 | RES SMD 422 OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF4220.pdf | |
![]() | ESR10EZPF8061 | RES SMD 8.06K OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF8061.pdf | |
![]() | DAC1008D650HN/C1,5 | DAC1008D650HN/C1,5 NXP SOT804 | DAC1008D650HN/C1,5.pdf | |
![]() | UA1458BHC | UA1458BHC NS CAN | UA1458BHC.pdf | |
![]() | ARF449 | ARF449 APT TO-3P | ARF449.pdf | |
![]() | PRS-LED-30W | PRS-LED-30W ORIGINAL SMD or Through Hole | PRS-LED-30W.pdf | |
![]() | CDRH2D18/LDNP-150N | CDRH2D18/LDNP-150N SUMIDA SMD | CDRH2D18/LDNP-150N.pdf | |
![]() | HCPL-M611-00E | HCPL-M611-00E AGILENT SOP5 | HCPL-M611-00E.pdf | |
![]() | IFR7314TR | IFR7314TR IR SMD or Through Hole | IFR7314TR.pdf | |
![]() | FTA302EB470S-S | FTA302EB470S-S Maruwm DIPnfm | FTA302EB470S-S.pdf | |
![]() | GRM1552C1H121GA01D(G | GRM1552C1H121GA01D(G MURATA SMD or Through Hole | GRM1552C1H121GA01D(G.pdf |