Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W,S4VX
- 제조업체 부품 번호
- TK10A60W,S4VX
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
TK10A60W,S4VX 가격 및 조달
가능 수량
8579 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,779.92000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 TK10A60W,S4VX 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. TK10A60W,S4VX 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. TK10A60W,S4VX가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- TK10A60W,S4VX 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TK10A60W,S4VX 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TK10A60W,S4VX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TK10A60W | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 초접합 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 4.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 500µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 700pF @ 300V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220SIS | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | TK10A60W,S4VX(M TK10A60WS4VX | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TK10A60W,S4VX | |
| 관련 링크 | TK10A60, TK10A60W,S4VX 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
TK10A60W,S4VX 의 관련 제품
 | SLPX103M063E9P3 | 10000µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 40 mOhm 3000 Hrs @ 85°C | SLPX103M063E9P3.pdf | |
 | MR051A820JAATR1 | 82pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR051A820JAATR1.pdf | |
 | BFC241675604 | 0.56µF Film Capacitor 25V 63V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.276" W (17.50mm x 7.00mm) | BFC241675604.pdf | |
| 1840R-04G | 330nH Unshielded Molded Inductor 2.36A 50 mOhm Max Axial | 1840R-04G.pdf | |
| BA6559 | BA6559 ORIGINAL TSSOP | BA6559.pdf | |
| P5205-11BBI | P5205-11BBI ORIGINAL BGA-192D | P5205-11BBI.pdf | |
| TM1617 | TM1617 TC SMD or Through Hole | TM1617.pdf | |
| 218S7EBLA12FG SB700 A12 | 218S7EBLA12FG SB700 A12 AMD BGA | 218S7EBLA12FG SB700 A12.pdf | |
| KS57C2616P | KS57C2616P ORIGINAL SMD or Through Hole | KS57C2616P.pdf | |
| ELESN390KA | ELESN390KA MATS SMD or Through Hole | ELESN390KA.pdf | |
| 630V472 | 630V472 ORIGINAL SMD or Through Hole | 630V472.pdf | |
| L-277A7LYD | L-277A7LYD ORIGINAL ROHS | L-277A7LYD.pdf |