창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TK100E08N1,S1X | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TK100E08N1 | |
주요제품 | U-MOSⅧ-H MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9000pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 255W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | TK100E08N1,S1X(S TK100E08N1S1X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TK100E08N1,S1X | |
관련 링크 | TK100E08, TK100E08N1,S1X 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | 3640AC104ZATRE | 0.10µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 3640(9110 미터법) 0.360" L x 0.402" W(9.14mm x 10.20mm) | 3640AC104ZATRE.pdf | |
![]() | 5AR150JEBNI | 15pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | 5AR150JEBNI.pdf | |
![]() | TE500B1R8J | RES CHAS MNT 1.8 OHM 5% 500W | TE500B1R8J.pdf | |
![]() | CRCW251213K7FKEH | RES SMD 13.7K OHM 1% 1W 2512 | CRCW251213K7FKEH.pdf | |
![]() | MAX9880 | MAX9880 MAXIM CSP | MAX9880.pdf | |
![]() | 7MHZ | 7MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | 7MHZ.pdf | |
![]() | CX--0012 | CX--0012 ORIGINAL SMD or Through Hole | CX--0012.pdf | |
![]() | 8130G-AE3-3-R | 8130G-AE3-3-R UTC SMD or Through Hole | 8130G-AE3-3-R.pdf | |
![]() | l08-3s2-100k | l08-3s2-100k bi SMD or Through Hole | l08-3s2-100k.pdf | |
![]() | EDI784MSV50FM | EDI784MSV50FM EDI FP24 | EDI784MSV50FM.pdf | |
![]() | UPD6453CY-508 | UPD6453CY-508 NEC DIP-20 | UPD6453CY-508.pdf | |
![]() | UPD75308R153B9 | UPD75308R153B9 NEC SMD or Through Hole | UPD75308R153B9.pdf |