창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TISP83121DR-S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TISP83121D | |
3D 모델 | TISP83121.stp | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 사이리스터 | |
제조업체 | Bourns Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
전압 - 브레이크오버 | - | |
전압 - 오프 상태 | 100V | |
전압 - 온 상태 | - | |
전류 - 피크 펄스(8/20µs) | 500A | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 150A | |
전류 - 유지(Ih) | 90mA | |
소자 개수 | 1 | |
정전 용량 | - | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | TISP83121DR-S-ND TISP83121DR-STR TISP83121DRS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TISP83121DR-S | |
관련 링크 | TISP831, TISP83121DR-S 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 |
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![]() | MHQ0402P4N6JT000 | 4.6nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 700 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P4N6JT000.pdf | |
![]() | NCD821K1KVY5F | NCD821K1KVY5F NIC SMD or Through Hole | NCD821K1KVY5F.pdf | |
![]() | D1857-P | D1857-P ROHM SMD or Through Hole | D1857-P.pdf | |
![]() | PGH7512AM | PGH7512AM NIEC SMD or Through Hole | PGH7512AM.pdf | |
![]() | NCP584HSN30T1G TEL:82766440 | NCP584HSN30T1G TEL:82766440 ON SMD or Through Hole | NCP584HSN30T1G TEL:82766440.pdf | |
![]() | BCM2200KTB-P10 | BCM2200KTB-P10 BROADCOM BGA | BCM2200KTB-P10.pdf | |
![]() | 87CH40F-4727 | 87CH40F-4727 TOSHIBA QFP | 87CH40F-4727.pdf | |
![]() | MT9315AE | MT9315AE ZARLINK DIP28 | MT9315AE.pdf |