창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TISP4C145H3BJR-S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TISP4CzzzH3BJ Series | |
제품 교육 모듈 | ESD Protection Products | |
3D 모델 | TISP4C145H3.stp | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 사이리스터 | |
제조업체 | Bourns Inc. | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
전압 - 브레이크오버 | 145V | |
전압 - 오프 상태 | 120V | |
전압 - 온 상태 | 3V | |
전류 - 피크 펄스(8/20µs) | - | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 100A | |
전류 - 유지(Ih) | 150mA | |
소자 개수 | 1 | |
정전 용량 | 45pF | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TISP4C145H3BJR-STR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TISP4C145H3BJR-S | |
관련 링크 | TISP4C145, TISP4C145H3BJR-S 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 |
![]() | FA-238 32.0000MB-C0 | 32MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 32.0000MB-C0.pdf | |
![]() | PTFA080551FV4R250XTMA1 | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 | PTFA080551FV4R250XTMA1.pdf | |
![]() | AXT440264 | AXT440264 panasonic SMD-connectors | AXT440264.pdf | |
![]() | PSB2115H1.2 | PSB2115H1.2 INFINEON QFP | PSB2115H1.2.pdf | |
![]() | 210351ES | 210351ES NSC TSSOP | 210351ES.pdf | |
![]() | PTE20134A | PTE20134A ERICSSON SMD or Through Hole | PTE20134A.pdf | |
![]() | EVM3ESX50B24 20K | EVM3ESX50B24 20K Panasonic SMD or Through Hole | EVM3ESX50B24 20K.pdf | |
![]() | 145077050112861+ | 145077050112861+ KYOCERA SMD or Through Hole | 145077050112861+.pdf | |
![]() | 16LF73-I/SP | 16LF73-I/SP microchip DIP | 16LF73-I/SP.pdf | |
![]() | XCR3384XL-12TQG144I | XCR3384XL-12TQG144I Xilinx QFP144 | XCR3384XL-12TQG144I.pdf | |
![]() | G51500A-005 | G51500A-005 GTEM DIP40 | G51500A-005.pdf | |
![]() | MSTB2,5/2-ST-5,08 | MSTB2,5/2-ST-5,08 PHOENIX SMD or Through Hole | MSTB2,5/2-ST-5,08.pdf |