창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TISP4200J3BJR-S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TISP4xxxJ3BJ | |
| 3D 모델 | TISP4200J3.stp | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 사이리스터 | |
| 제조업체 | Bourns Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 전압 - 브레이크오버 | 200V | |
| 전압 - 오프 상태 | 155V | |
| 전압 - 온 상태 | - | |
| 전류 - 피크 펄스(8/20µs) | 800A | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 200A | |
| 전류 - 유지(Ih) | 150mA | |
| 소자 개수 | 1 | |
| 정전 용량 | 120pF | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TISP4200J3BJR-S | |
| 관련 링크 | TISP4200J, TISP4200J3BJR-S 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 | |
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![]() | PMB8875V1.1 | PMB8875V1.1 INF BGA | PMB8875V1.1.pdf | |
![]() | TA8157AFH | TA8157AFH ORIGINAL SMD or Through Hole | TA8157AFH.pdf | |
![]() | K4E171611C-TL60 | K4E171611C-TL60 SAMSUNG TSOP | K4E171611C-TL60.pdf | |
![]() | TAJF227M006RNJ | TAJF227M006RNJ AVX SMD or Through Hole | TAJF227M006RNJ.pdf | |
![]() | 39-01-2085-P | 39-01-2085-P MOLEX A | 39-01-2085-P.pdf | |
![]() | LC73054 | LC73054 SANYO SSOP36 | LC73054.pdf | |
![]() | UPD82806GC-001-9 EV | UPD82806GC-001-9 EV NEC QFP | UPD82806GC-001-9 EV.pdf | |
![]() | SIQ125-100M | SIQ125-100M ORIGINAL SMD or Through Hole | SIQ125-100M.pdf |