창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TISP4095H3BJR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TISP4095H3BJR | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DO-214AASMB | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TISP4095H3BJR | |
| 관련 링크 | TISP409, TISP4095H3BJR 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GI501-E3/73 | DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD | GI501-E3/73.pdf | |
![]() | L-14W27NJV4E | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 220 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | L-14W27NJV4E.pdf | |
![]() | RG1608P-7681-W-T5 | RES SMD 7.68K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-7681-W-T5.pdf | |
![]() | RG2012V-3321-D-T5 | RES SMD 3.32K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012V-3321-D-T5.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 4DB N8 | RF Attenuator 4dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 4DB N8.pdf | |
![]() | UPD7842246K-502-QEU | UPD7842246K-502-QEU NEC SMD or Through Hole | UPD7842246K-502-QEU.pdf | |
![]() | 4R3D1452HSG | 4R3D1452HSG TAITSU SMD or Through Hole | 4R3D1452HSG.pdf | |
![]() | ES2798 | ES2798 ESS SMD or Through Hole | ES2798.pdf | |
![]() | 923743-18 | 923743-18 M SMD or Through Hole | 923743-18.pdf | |
![]() | SNJ74ALS04BFK | SNJ74ALS04BFK TI SMD or Through Hole | SNJ74ALS04BFK.pdf | |
![]() | AAXW | AAXW ORIGINAL 6SOT-23 | AAXW.pdf |