- THS4150IDGN
- 제조업체 부품 번호
- THS4150IDGN
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 1
- 간단한 설명
- THS4150IDGN TI MSOP8
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
THS4150IDGN 가격 및 조달
가능 수량
70340 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 THS4150IDGN 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. THS4150IDGN 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. THS4150IDGN가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- THS4150IDGN 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
THS4150IDGN 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-THS4150IDGN | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | THS4150IDGN | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | MSOP8 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | THS4150IDGN | |
| 관련 링크 | THS415, THS4150IDGN 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
THS4150IDGN 의 관련 제품
.jpg) | C0805C181J5GACTU | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C181J5GACTU.pdf | |
 | RL895-122K-RC | 1.2mH Unshielded Wirewound Inductor 270mA 2.1 Ohm Max Radial | RL895-122K-RC.pdf | |
| ICX274 | ICX274 SONY DIP | ICX274.pdf | |
| MAX3469CPA | MAX3469CPA MAX DIP-8 | MAX3469CPA.pdf | |
| TISP5110H3BJR-S**EC-CLS | TISP5110H3BJR-S**EC-CLS BOURNS SMD | TISP5110H3BJR-S**EC-CLS.pdf | |
| UNR212Z | UNR212Z PANASONI SOT-23 | UNR212Z.pdf | |
| MS24266R14T4P6 | MS24266R14T4P6 PYLE SMD or Through Hole | MS24266R14T4P6.pdf | |
| L2722 DIP8 | L2722 DIP8 ST SMD or Through Hole | L2722 DIP8.pdf | |
| B 10UF 20V | B 10UF 20V ORIGINAL SMD or Through Hole | B 10UF 20V.pdf | |
| SMM02040C2219FEB00 | SMM02040C2219FEB00 ORIGINAL SMD or Through Hole | SMM02040C2219FEB00.pdf | |
| KFM2G16Q2M | KFM2G16Q2M SAMSUNG BGA | KFM2G16Q2M.pdf | |
| RM73B3A4L00FS-T | RM73B3A4L00FS-T NA SMD | RM73B3A4L00FS-T.pdf |