창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-THGVS4G3D1EBA18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | THGVS4G3D1EBA18 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | THGVS4G3D1EBA18 | |
관련 링크 | THGVS4G3D, THGVS4G3D1EBA18 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
HDE222MBDEF0KR | 2200pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | HDE222MBDEF0KR.pdf | ||
8020.5071 | FUSE 2 A F 6.3X32 | 8020.5071.pdf | ||
SIT1602BC-21-33E-33.333300D | OSC XO 3.3V 33.3333MHZ OE | SIT1602BC-21-33E-33.333300D.pdf | ||
CPCF0220K00KB32 | RES 20K OHM 2W 10% RADIAL | CPCF0220K00KB32.pdf | ||
NJM79M05DL1ATE2 | NJM79M05DL1ATE2 JRC SOT-252 | NJM79M05DL1ATE2.pdf | ||
HYMP112S64CP6-Y5-C (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DI | HYMP112S64CP6-Y5-C (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DI Hynix SMD or Through Hole | HYMP112S64CP6-Y5-C (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DI.pdf | ||
SG1846Y | SG1846Y LINFINITY CDIP8 | SG1846Y.pdf | ||
S81225SGUP | S81225SGUP SEIKO SOT89 | S81225SGUP.pdf | ||
SAB8252DP | SAB8252DP SIEMENS DIP | SAB8252DP.pdf | ||
SL6689-1/KG/TP1N | SL6689-1/KG/TP1N ZAR ORIGINAL | SL6689-1/KG/TP1N.pdf | ||
MC7905+BD2TR4 | MC7905+BD2TR4 T SMD or Through Hole | MC7905+BD2TR4.pdf | ||
CY14V104NA-BA25XIT | CY14V104NA-BA25XIT CYPRESS FBGA48 | CY14V104NA-BA25XIT.pdf |