창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TH58NVG6D2ETA | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | TH58NVG6D2ETA | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | 64G bit Nand Flash 4 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | TH58NVG6D2ETA | |
| 관련 링크 | TH58NVG, TH58NVG6D2ETA 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
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![]() | MMG3004NT1 | RF Amplifier IC Cellular, PCS, PHS, WLL 400MHz ~ 2.2GHz 16-PWR QFN (5x5) | MMG3004NT1.pdf | |
![]() | AMS2907-1.8-TR | AMS2907-1.8-TR AMS SOT-223 | AMS2907-1.8-TR.pdf | |
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![]() | 2SC3325-Y(T5L.F) | 2SC3325-Y(T5L.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC3325-Y(T5L.F).pdf | |
![]() | BQ24271 | BQ24271 BQ QFN | BQ24271.pdf | |
![]() | BU5767-T1 | BU5767-T1 ROHM QFP | BU5767-T1.pdf | |
![]() | 3DK9H | 3DK9H CHINA SMD or Through Hole | 3DK9H.pdf | |
![]() | HZK12ATR-S-E-Q | HZK12ATR-S-E-Q Renesas SMD or Through Hole | HZK12ATR-S-E-Q.pdf | |
![]() | SMCJ20CATR-13 | SMCJ20CATR-13 microsemi DO-214AB | SMCJ20CATR-13.pdf | |
![]() | PAL20X8JMIL | PAL20X8JMIL NATIONAL SMD or Through Hole | PAL20X8JMIL.pdf |