창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TFZTR4.7B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | TFZTR4.7B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TFZTR4.7BTR TFZTR47B | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TFZTR4.7B | |
| 관련 링크 | TFZTR, TFZTR4.7B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CGB2A1X6S0G105K033BC | 1µF 4V 세라믹 커패시터 X6S 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGB2A1X6S0G105K033BC.pdf | |
![]() | 0805YA270JAT2A | 27pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 0805YA270JAT2A.pdf | |
![]() | 9A | 9A TI MSOP8 | 9A.pdf | |
![]() | SS8P5C | SS8P5C VISHAY TO-277A(SMPC) | SS8P5C.pdf | |
![]() | E5TAB-GY4805 | E5TAB-GY4805 ORIGINAL RJ45 | E5TAB-GY4805.pdf | |
![]() | 1MBI200-120 | 1MBI200-120 FUJI SMD or Through Hole | 1MBI200-120.pdf | |
![]() | IDT74ALVCH162820PV | IDT74ALVCH162820PV IDT SSOP | IDT74ALVCH162820PV.pdf | |
![]() | TB001(TC4847)-7R8 | TB001(TC4847)-7R8 ORIGINAL SMD or Through Hole | TB001(TC4847)-7R8.pdf | |
![]() | ADR425ARM | ADR425ARM AD MSOP-8 | ADR425ARM.pdf | |
![]() | EAH112E99 | EAH112E99 ECE DIP | EAH112E99.pdf | |
![]() | QM3013M6 | QM3013M6 ORIGINAL PPAK | QM3013M6.pdf | |
![]() | C0603COG200J500NT | C0603COG200J500NT EY SMD or Through Hole | C0603COG200J500NT.pdf |