창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TFZGTR9.1B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Part No. Explanation for Diodes TFZ Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TFZGTR9.1B-ND TFZGTR9.1BTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TFZGTR9.1B | |
관련 링크 | TFZGTR, TFZGTR9.1B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | DESD1P0RFWQ-7 | TVS DIODE 70VWM 8VC SOT323 | DESD1P0RFWQ-7.pdf | |
![]() | APT11N80BC3G | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | APT11N80BC3G.pdf | |
![]() | CPF0603F14RC1 | RES SMD 14 OHM 1% 1/16W 0603 | CPF0603F14RC1.pdf | |
![]() | PC817X2NSZW6(B) | PC817X2NSZW6(B) SHARP DIP-4 | PC817X2NSZW6(B).pdf | |
![]() | FQD5N50CDTXM | FQD5N50CDTXM ORIGINAL SMD or Through Hole | FQD5N50CDTXM.pdf | |
![]() | DS36276 | DS36276 NS SOP-8 | DS36276.pdf | |
![]() | XQ2V1000-4BG575N | XQ2V1000-4BG575N XILINX SMD or Through Hole | XQ2V1000-4BG575N.pdf | |
![]() | L1A5556 | L1A5556 LSI PLCC84 | L1A5556.pdf | |
![]() | XC68HC811A2P | XC68HC811A2P N/A DIP | XC68HC811A2P.pdf | |
![]() | SN54AHC574J | SN54AHC574J TI CDIP | SN54AHC574J.pdf | |
![]() | HC2G107M25030HA190 | HC2G107M25030HA190 SAMWHA SMD or Through Hole | HC2G107M25030HA190.pdf |