창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TFZGTR5.6B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Part No. Explanation for Diodes TFZ Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 13옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TFZGTR5.6B-ND TFZGTR5.6BTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TFZGTR5.6B | |
관련 링크 | TFZGTR, TFZGTR5.6B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 3LP01C-TB-E | MOSFET P-CH 30V 100MA CP | 3LP01C-TB-E.pdf | |
![]() | CMF5554K900BHEA | RES 54.9K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5554K900BHEA.pdf | |
![]() | L063S271LF | L063S271LF BCK SMD or Through Hole | L063S271LF.pdf | |
![]() | SMBJ12C(BD) | SMBJ12C(BD) GE SMB | SMBJ12C(BD).pdf | |
![]() | 63CAK | 63CAK SI SOP6 | 63CAK.pdf | |
![]() | 6610068-6 | 6610068-6 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 6610068-6.pdf | |
![]() | CL10U020CBNP | CL10U020CBNP SAM SMD or Through Hole | CL10U020CBNP.pdf | |
![]() | RN731JTTD27R4B25 | RN731JTTD27R4B25 KOA SMD | RN731JTTD27R4B25.pdf | |
![]() | RSM-105-02-T-D | RSM-105-02-T-D SAMTEC ORIGINAL | RSM-105-02-T-D.pdf | |
![]() | EPF8820RC208-4 | EPF8820RC208-4 N/A NC | EPF8820RC208-4.pdf | |
![]() | LMC7660IM SO8 | LMC7660IM SO8 NS STD95 | LMC7660IM SO8.pdf |