창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TFZGTR5.6B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Part No. Explanation for Diodes TFZ Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 13옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | TFZGTR5.6B-ND TFZGTR5.6BTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TFZGTR5.6B | |
관련 링크 | TFZGTR, TFZGTR5.6B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | LP060F33IET | 60MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP060F33IET.pdf | |
![]() | MCR18EZPF23R7 | RES SMD 23.7 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZPF23R7.pdf | |
![]() | 4306R-102-333LF | RES ARRAY 3 RES 33K OHM 6SIP | 4306R-102-333LF.pdf | |
![]() | CMF55231R00FKEK | RES 231 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55231R00FKEK.pdf | |
![]() | E3Z-T61-J0SRW-M1 | SENSOR PHOTOELECTR 10M M12 CONN | E3Z-T61-J0SRW-M1.pdf | |
![]() | A1210EUA-T | A1210EUA-T Allegro SMD or Through Hole | A1210EUA-T.pdf | |
![]() | IDT7007S25JW | IDT7007S25JW IDT PLCC | IDT7007S25JW.pdf | |
![]() | JGX-1572F | JGX-1572F KT null | JGX-1572F.pdf | |
![]() | MAX5528GUA | MAX5528GUA MAX Call | MAX5528GUA.pdf | |
![]() | JV1618A40120 | JV1618A40120 JOINSE SMD | JV1618A40120.pdf | |
![]() | LDS3985M25R-ST | LDS3985M25R-ST ORIGINAL SMD or Through Hole | LDS3985M25R-ST.pdf |