창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TFZGTR2.0B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TFZ Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TFZGTR2.0B | |
관련 링크 | TFZGTR, TFZGTR2.0B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | CRCW060320M0JPEBHR | RES SMD 20M OHM 5% 1/10W 0603 | CRCW060320M0JPEBHR.pdf | |
![]() | RNF14JTD3M90 | RES 3.9M OHM 1/4W 5% AXIAL | RNF14JTD3M90.pdf | |
![]() | LAMXO640E-3TN100E | LAMXO640E-3TN100E Lattice QFP100 | LAMXO640E-3TN100E.pdf | |
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![]() | 1N5729 | 1N5729 ORIGINAL DIP | 1N5729.pdf | |
![]() | G6D-1A-ASI-5V | G6D-1A-ASI-5V OMRON SMD or Through Hole | G6D-1A-ASI-5V.pdf | |
![]() | P33AX | P33AX NS SOP7.2 | P33AX.pdf | |
![]() | BLV640 | BLV640 ORIGINAL SMD or Through Hole | BLV640.pdf | |
![]() | BU8749FV | BU8749FV ROHM SSOP-16 | BU8749FV.pdf | |
![]() | RM307110 | RM307110 ORIGINAL DIP | RM307110.pdf |