창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TFZGTR18B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Part No. Explanation for Diodes TFZ Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 23옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 13V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TFZGTR18B-ND TFZGTR18BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TFZGTR18B | |
| 관련 링크 | TFZGT, TFZGTR18B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AST3TQ-V-19.440MHZ-50-C-T5 | 19.44MHz LVCMOS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA | AST3TQ-V-19.440MHZ-50-C-T5.pdf | |
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![]() | ERJ-S1DJ560U | RES SMD 56 OHM 5% 3/4W 2010 | ERJ-S1DJ560U.pdf | |
![]() | HRG3216P-2151-B-T1 | RES SMD 2.15K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-2151-B-T1.pdf | |
![]() | BLA41B02T1M54-06/T250E250 | BLA41B02T1M54-06/T250E250 muRata SAW | BLA41B02T1M54-06/T250E250.pdf | |
![]() | BZX585-B5V1,115 | BZX585-B5V1,115 NXPSEMI DIP SOP | BZX585-B5V1,115.pdf | |
![]() | XC74WL4066S | XC74WL4066S SOT SMD or Through Hole | XC74WL4066S.pdf | |
![]() | PMB4819RV11GEG | PMB4819RV11GEG inf SMD or Through Hole | PMB4819RV11GEG.pdf | |
![]() | G65SC02D | G65SC02D CMDU DIP | G65SC02D.pdf | |
![]() | MAX9773EWP+G45 | MAX9773EWP+G45 Maxim SMD or Through Hole | MAX9773EWP+G45.pdf | |
![]() | DTS-02 | DTS-02 ORIGINAL SMD or Through Hole | DTS-02.pdf | |
![]() | Q69510V40M62 | Q69510V40M62 epcos SMD or Through Hole | Q69510V40M62.pdf |