창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TFZGTR16B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Part No. Explanation for Diodes TFZ Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 18옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 12V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TFZGTR16B-ND TFZGTR16BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TFZGTR16B | |
| 관련 링크 | TFZGT, TFZGTR16B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | FVT02506E500R0JE | RES CHAS MNT 500 OHM 5% 25W | FVT02506E500R0JE.pdf | |
![]() | H85K1FDA | RES 5.10K OHM 1/4W 1% AXIAL | H85K1FDA.pdf | |
![]() | DL-100EB1 | DL-100EB1 ANZHOU SMD or Through Hole | DL-100EB1.pdf | |
![]() | CS62180B-IP | CS62180B-IP CRYSTAL DIP-40 | CS62180B-IP.pdf | |
![]() | M55310/19-B01A 40.00MHZ | M55310/19-B01A 40.00MHZ NS NULL | M55310/19-B01A 40.00MHZ.pdf | |
![]() | 3PV | 3PV ORIGINAL SMD or Through Hole | 3PV.pdf | |
![]() | SA1117ADJ | SA1117ADJ silan TO-223 | SA1117ADJ.pdf | |
![]() | SI1901DL-T1 | SI1901DL-T1 SILICONIX SOT-363-6 | SI1901DL-T1.pdf | |
![]() | AD7819YNZ | AD7819YNZ ANALOGDEVICES SMD or Through Hole | AD7819YNZ.pdf | |
![]() | SAKXC888CM8FFA | SAKXC888CM8FFA INF SMD or Through Hole | SAKXC888CM8FFA.pdf | |
![]() | LST670-K1-1 | LST670-K1-1 OSRAM SMD or Through Hole | LST670-K1-1.pdf |