창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-TFZGTR10B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Part No. Explanation for Diodes TFZ Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | - | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 8옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMD2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TFZGTR10B-ND TFZGTR10BTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | TFZGTR10B | |
| 관련 링크 | TFZGT, TFZGTR10B 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 825F5K6E | RES CHAS MNT 5.6K OHM 1% 25W | 825F5K6E.pdf | |
![]() | RT1206DRD072K7L | RES SMD 2.7K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD072K7L.pdf | |
![]() | CRCW0402732RFKTD | RES SMD 732 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402732RFKTD.pdf | |
![]() | 458DS-1014P3 | 458DS-1014P3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 458DS-1014P3.pdf | |
![]() | R3111Q401C | R3111Q401C RICOH SOT-343 | R3111Q401C.pdf | |
![]() | GRM39X7R153K50 | GRM39X7R153K50 ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM39X7R153K50.pdf | |
![]() | GS88032BGT | GS88032BGT GS QFP | GS88032BGT.pdf | |
![]() | IDT79RC32T333-150DH | IDT79RC32T333-150DH IDT PQFP208 | IDT79RC32T333-150DH.pdf | |
![]() | IN74ALS04AN | IN74ALS04AN INT DIP | IN74ALS04AN.pdf | |
![]() | TZMC3V3(3.3V) | TZMC3V3(3.3V) ORIGINAL SMD or Through Hole | TZMC3V3(3.3V).pdf |