창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TFF1017HN/N1,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TFF1017HN/N1 Series | |
PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
종류 | RF/IF 및 RFID | |
제품군 | RF 믹서 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
RF 유형 | Ku-대역 | |
주파수 | 10.7GHz ~ 12.75GHz | |
혼합기 개수 | 1 | |
이득 | 42dB | |
잡음 지수 | 7dB | |
추가 특성 | 하향 컨버터 | |
전류 - 공급 | 52mA | |
전압 - 공급 | 4.5 V ~ 5.5 V | |
패키지/케이스 | 16-VFQFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 16-DHVQFN(2.5x3.5) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-8500-2 935293336115 TFF1017HNN1115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | TFF1017HN/N1,115 | |
관련 링크 | TFF1017HN, TFF1017HN/N1,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
CMR1U-04M TR13 | DIODE GEN PURP 400V 1A SMA | CMR1U-04M TR13.pdf | ||
LBC2518T150M | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 285mA 650 mOhm 1007 (2518 Metric) | LBC2518T150M.pdf | ||
ERA-6AED4221V | RES SMD 4.22K OHM 0.5% 1/8W 0805 | ERA-6AED4221V.pdf | ||
CRGH1206J1K8 | RES SMD 1.8K OHM 5% 1/2W 1206 | CRGH1206J1K8.pdf | ||
CRCW12101R60FNEA | RES SMD 1.6 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12101R60FNEA.pdf | ||
91J1R8 | RES 1.8 OHM 1.5W 5% AXIAL | 91J1R8.pdf | ||
MB87587PF | MB87587PF FUJ SOP-16 | MB87587PF.pdf | ||
VIAC3-800AMHZ-S-E | VIAC3-800AMHZ-S-E VIA BGA | VIAC3-800AMHZ-S-E.pdf | ||
RNYDS5-4 | RNYDS5-4 KST SMD or Through Hole | RNYDS5-4.pdf | ||
ISPGDX160VA-3B208-5I(PROG) | ISPGDX160VA-3B208-5I(PROG) LATTICE SMD or Through Hole | ISPGDX160VA-3B208-5I(PROG).pdf | ||
LAU1706B | LAU1706B ORIGINAL QFN | LAU1706B.pdf |